Número de Producto del Fabricante:
TSM080N03EPQ56 RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM080N03EPQ56 RLG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 55A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventario:
4381 Pcs Nuevos Originales En Stock
12898404
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ENVIAR
TSM080N03EPQ56 RLG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
750 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
TSM080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM080N03EPQ56 RLGTR-DG
TSM080N03EPQ56RLGTR
TSM080N03EPQ56RLGCT
TSM080N03EPQ56 RLGCT
TSM080N03EPQ56 RLGDKR
TSM080N03EPQ56 RLGDKR-DG
TSM080N03EPQ56 RLGTR
TSM080N03EPQ56 RLGCT-DG
TSM080N03EPQ56RLGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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